iC-DI DUAL-SENSOR-INTERFACE
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iC-DI DUAL-SENSOR-INTERFACE Ausgabe C2, Seite 1/15 EIGENSCHAFTEN © Zwei-Kanal-Schalter konfigurierbar für High-Side-, Low-Sideund Push-Pull-Betrieb © Schalter mit Strombegrenzung und Verpolschutz © Push-Pull-Betrieb mit Tri-State-Funktion © Ausgangsstrom bis zu 100mA pro Kanal © Parallelschaltung beider Knäle möglich © Kanal 1 mit Invertierung (antivalenter Ausgang) © Weiter Versorgungsspannungsbereich von 9 bis 30 V © Sensor parametrierbar durch Rückkanal (bis 30 V) © Schaltwandler mit Längsreglern zur 3.3/5-VSpannungsversorgung © Fehlermeldung mit Hysteres bei Übertemperatur, Überlast und Unterspannung © Abschaltung der Ausgänge bei Fehler © Fehlermeldung über zwei Open-Kollektor-Ausgänge ANWENDUNGEN © Sensor-Interface z. B. für Lichtschranken und Näherungsschalter GEHÄUSE QFN24 4mmx 4mm BLOCKSCHALTBILD =1 BIAS Overload CHANN. 2 CHANN. 1 Overtemp. Undervoltage QN2 QP2 VCC VH VHL ISET CFP CFO QCFG2 INV1 IN1 QCFG1 VCC VCC3 NOVL GND IN2 NUVD OEN 1 nF CFI VN VBR VN QN1 QP1 VBO VCC3 HS1 LS1 LS2 HS2 22 uH LVH ..50 mA RSET 1 uF CVH LINE Filter and Control Logic Filter and Control Logic 8.2 kW VBR 1 nF Copyright © 2008 iC-Haus http://www.ichaus.com

iC-DI DUAL-SENSOR-INTERFACE Ausgabe C2, Seite 2/15 KURZBESCHREIBUNG Der Baustein iC-DI ist ein monolithisches Interface- IC mit zwei unabhängigen Schaltkanälen, der es digitalen Sensoren ermöglicht, Peripherie-Elemente (z. B. SPS, Relais) anzusteuern. Die Schalter lassen sich über die Eingänge QCFG1 und QCFG2 (Zustände offen, high und low) als Push- Pull-, High-Side- oder Low-Side-Schalter betreiben und über den Eingang OEN freigeben bzw. sperren. Sie sind für eine hohe Treiberleistung von 100mA (RSET = 8.2 k ) ausgelegt, strombegrenzt und durch Abschaltung bei Übertemperatur bzw. Überlast...

iC-DI DUAL-SENSOR-INTERFACE Ausgabe C2, Seite 3/15 GEHÄUSE QFN24 nach JEDEC PIN-BELEGUNG QFN24 4mmx 4mm 7 8 9 10 11 1 2 3 4 5 13 14 15 22 21 6 12 16 17 20 19 18 24 23 DI code... ... PIN-FUNKTIONEN Nr. Name Funktion 1 ISET Referenzstrom Strombegrenzung Endstufen 2 INV1 Invertierung Kanal 1 3 IN1 Eingang Kanal 1 PIN-FUNKTIONEN Nr. Name Funktion 4 QCFG1 Konfigurationseingang Kanal 1 5 QCFG2 Konfigurationseingang Kanal 2 6 IN2 Eingang Kanal 2 7 OEN Output-Enable-Eingang 8 NOVL Überlast-Fehlerausgang 9 NUVD Unterspannungs-Fehlerausgang 10 CFO Ausgang Rückkanal 11 CFP Konfigurationseingang...

iC-DI DUAL-SENSOR-INTERFACE Ausgabe C2, Seite 4/15 GRENZWERTE Bei Einhaltung der nachfolgenden Grenzwerte tritt keine Zerstörung des Bauteils auf, die Funktion ist aber nicht garantiert. Grenzwerte sind keine Betriebsbedingungen. Integrierte Schaltkreise mit Systemschnittstellen, z.B. mit über Leitungen zugänglichen Pins (I/O-Pins, Leitungstreiber) sind prinzipiell gefährdet durch eingekoppelte Störungen, welche die Funktion oder Lebensdauer beeinträchtigen können. Die Robustheit der Komponenten ist im Rahmen der Systementwicklung vom Anwender bzgl. der anzuwendenden Normen nachzuweisen und...

iC-DI DUAL-SENSOR-INTERFACE Ausgabe C2, Seite 5/15 GRENZWERTE (Fortsetzung) Kenn- Formel- Benennung Bedingungen Einh. Nr. zeichen Min. Max. G025 Vd() Zulässige ESD-Prüfspannung an allen Pins HBM, 100 pF entladen über 1.5 k 0.6 kV G026 Tj Chip-Temperatur -40 150 °C G027 Ts Lager-Temperatur -40 150 °C THERMISCHE DATEN Betriebsbedingungen: VBO = 9...30 V, VBR = 9...30V (beide bezogen auf VN), Tj = -40...125 °C, RSET = 8.2 k ±1%, wenn nicht anders angegeben Kenn- Formel- Benennung Bedingungen Einh. Nr. zeichen Min. Typ Max. T01 Ta Zulässiger Umgebungstemperaturbereich (erweiterer...

iC-DI DUAL-SENSOR-INTERFACE Ausgabe C2, Seite 6/15 KENNDATEN Betriebsbedingungen: VBO = 9...30 V, VBR = 9...30 V (beide bezogen auf VN), Tj = -40...125 °C, RSET = 8.2 k ±1%, wenn nicht anders angegeben Kenn- Formel- Benennung Bedingungen Einh. Nr. zeichen Min. Typ Max. Allgemeines 001 VBO Zulässige Versorgungsspannung bezogen auf VN 9 24 30 V 002 I(VBO) Versorgungsstrom in VBO keine Last, I(QP1) = I(QP2) = 0, HSx aktiv 0.3 mA 003 VBR Zulässige Versorgungsspannung 9 24 30 V 004 I(VBR) Versorgungsstrom in VBR VH verbunden mit VBR, keine Last, I(VCC) = I(VCC3) = 0, V(OEN) = hi 6 mA 005 Vc()hi...

iC-DI DUAL-SENSOR-INTERFACE Ausgabe C2, Seite 7/15 KENNDATEN Betriebsbedingungen: VBO = 9...30 V, VBR = 9...30 V (beide bezogen auf VN), Tj = -40...125 °C, RSET = 8.2 k ±1%, wenn nicht anders angegeben Kenn- Formel- Benennung Bedingungen Einh. Nr. zeichen Min. Typ Max. High-Side-Schalter QP1, QP2; V(QCFG1) = V(QCFG2) = 5V 201 Vs()hi Sättigungsspannung hi gg. VBO RSET = 5.1 k ; I() = -100mA -1.2 V I() = -50mA -0.7 V I() = -10mA -0.3 V 202 Isc()hi Kurzschlussstrom hi RSET = 8.2 k , V() = 0...VBO - 1.5 V -160 -125 -100 mA 203 Vol()on Überlasterkennungsschwelle ein QP1, QP2 hi ! lo; bezogen auf...

iC-DI DUAL-SENSOR-INTERFACE Ausgabe C2, Seite 8/15 KENNDATEN Betriebsbedingungen: VBO = 9...30 V, VBR = 9...30 V (beide bezogen auf VN), Tj = -40...125 °C, RSET = 8.2 k ±1%, wenn nicht anders angegeben Kenn- Formel- Benennung Bedingungen Einh. Nr. zeichen Min. Typ Max. 608 Valo() Eingangsschwelle lo an QCFG1, QCFG2 (V() < Va()lo ) QP1, QP2 tri-state) bezogen auf VCC3 (s. Bild 3) 24 29 34 % 609 Valo()hys Hysterese lo an QCFG1, QCFG2 (V() > Valo() + Valo()hys ) QN1, QN2 aktiv) bezogen auf VCC3 (s. Bild 3) 3 7 % 610 Vpp() Leerlaufspannung an QCFG1, QCFG2 bezogen auf VCC3 42 46.5 51 % 611 Ri()...

iC-DI DUAL-SENSOR-INTERFACE Ausgabe C2, Seite 9/15 KENNDATEN Betriebsbedingungen: VBO = 9...30 V, VBR = 9...30 V (beide bezogen auf VN), Tj = -40...125 °C, RSET = 8.2 k ±1%, wenn nicht anders angegeben Kenn- Formel- Benennung Bedingungen Einh. Nr. zeichen Min. Typ Max. 903 Va(VH) Abschaltspannung an VH Va(VH) > VHn 6.5 7.3 7.7 V 904 Va()hys Hysterese an VH 10 25 150 mV 905 Vs(VHL) Sättigungsspannung an VHL gg. VBR I(VHL) = -50mA 1.1 V I(VHL) = -150mA 3.0 V 906 Vf(VHL) Flussspannung der Freilaufdiode Vf() = V(GND) - V(VHL); I(VHL) = -50mA 1.5 V I(VHL) = -150mA 2.9 V 907 Ilk(VHL) Reststrom an...